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BLV32F	文件：18.98 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: The ASI BLV32F is Designed for in linear v.h.f. amplifiers of television transmitters and transporters. FEATURES: • Diffused emitter ballasting resistors • PG= 16 dB at 10 W/224 MHz • Omnigold™ Metalization System 文件：18.98 Kbytes 页数：1 Pages	ASI	ASI
BLV32F	文件：80.22 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR 文件：80.22 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
BLV32F	文件：118.27 Kbytes Page：2 Pages	NPN Silicon RF power transistor 文件：118.27 Kbytes 页数：2 Pages	ELEFLOW	ELEFLOW
BLV32F	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 33V 12.5A 4-Pin SOT-147	NJS	NJS

晶体管资料

型号：
BLV32F
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
甚高频（VHF）_功率放大（L）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
4A
最大工作频率：
224MHZ
引脚数：
6
可代换的型号：
最大耗散功率：
10W
放大倍数：
图片代号：
G-256
vtest：
60
htest：
224000000
atest：
4
wtest：
10.0001

技术参数

Output Power：
26.5(Typ)W
Number of Elements per Chip：
1
Minimum Operating Temperature：
-65°C
Minimum DC Current Gain：
100(Max)
Maximum Transition Frequency：
750(Typ)MHz
Maximum Operating Temperature：
200°C
Maximum Emitter Base Voltage：
4V
Maximum DC Collector Current：
12.5A
Maximum Collector Emitter Voltage：
33V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
15@3A@25AV
Maximum Base Emitter Saturation Voltage：
0.75(Typ)@0.6A@6AV
Material：
Si
Configuration：
Single Dual Emitter

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市金华微盛电子有限公司	BLV32F	PHI	2019+	TO-57	6992	原厂渠道可含税出货	询价
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更多BLV32F供应商更新时间2026-1-17 16:03:00

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