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BLV92 | UHF power transistor DESCRIPTION N-P-N silicon planar epitaxial transistor primarily intended for use in mobile radio transmitters in the 900 MHz communications band. FEATURES • multi-base structure and emitter-ballasting resistors for an optimum temperature profile • internal input matching to achieve an optimum 文件：63.75 Kbytes 页数：11 Pages | PHI PHI | PHI | |
UHF power transistor DESCRIPTION NPN silicon planar epitaxial transistor intended for common emitter class-AB operation. The transistor is encapsulated in a 6-lead SOT171A flange envelope with a ceramic cap. All leads are isolated from the flange. FEATURES • Internal input matching to achieve high power gain and ea 文件：109.98 Kbytes 页数：12 Pages | PHI PHI | PHI | ||
BLV92 | UHF power transistor | 恩XP | 恩XP | |
UHF power transistor | 恩XP | 恩XP |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性质：
超高频/特高频 （UHF）_TR_输出极 （E）
- 封装形式：
贴片封装
- 极限工作电压：
36V
- 最大电流允许值：
0.8A
- 最大工作频率：
900MHZ
- 引脚数：
6
- 可代换的型号：
MRF840,
- 最大耗散功率：
4W
- 放大倍数：
- 图片代号：
G-244
- vtest：
36
- htest：
900000000
- atest：
0.8
- wtest：
4
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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