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BLW34	文件：80.71 Kbytes Page：12 Pages	UHF linear power transistor DESCRIPTION N-P-N silicon planar epitaxial transistor primarily intended for use in linear u.h.f. amplifiers for television transmitters and transposers. The excellent d.c. dissipation properties for class-A operation are obtained by means of diffused emitter ballasting resistors and a multi-ba 文件：80.71 Kbytes 页数：12 Pages	PHI PHI	PHI
BLW34	文件：18.07 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: The ASI BLW34 is Designed for use in UHF amplifiers up to 860 MHz. FEATURES: • PG = 10.2 dB Typical at 860 MHz • Omnigold™ Metallization System 文件：18.07 Kbytes 页数：1 Pages	ASI	ASI
BLW34	文件：125.6 Kbytes Page：4 Pages	UHF linear power transistor DESCRIPTION N-P-N silicon planar epitaxial transistor primarily intended for use in linear u.h.f. amplifiers for television transmitters and transposers. The excellent d.c. dissipation properties for class-A operation are obtained by means of diffused emitter ballasting resistors and a multi-ba 文件：125.6 Kbytes 页数：4 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
BLW34	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 30V 2.25A 4-Pin CRPM Bulk	NJS	NJS

晶体管资料

型号：
BLW34
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
超高频/特高频（UHF）_功率放大（L）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
50V
最大电流允许值：
2.25A
最大工作频率：
860MHZ
引脚数：
4
可代换的型号：
BLW98,BLX98,
最大耗散功率：
1.9W
放大倍数：
图片代号：
G-56
vtest：
50
htest：
860000000
atest：
2.25
wtest：
1.9

技术参数

Output Power：
2.15(Typ)W
Number of Elements per Chip：
1
Minimum Operating Temperature：
-65°C
Minimum DC Current Gain：
20@600mA@30V
Maximum Transition Frequency：
3300(Typ)MHz
Maximum Operating Temperature：
200°C
Maximum Emitter Base Voltage：
4V
Maximum DC Collector Current：
2.25A
Maximum Collector Emitter Voltage：
30V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
0.45(Typ)@0.12A@1.2AV
Material：
Si
Configuration：
Single

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