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BLW98	文件：80.28 Kbytes Page：13 Pages	UHF linear power transistor DESCRIPTION N-P-N silicon planar epitaxial transistor primarily intended for use in linear u.h.f. amplifiers of TV transposers and transmitters in band IV-V, as well as for driver stages in tube systems. FEATURES: • diffused emitter ballasting resistors for an optimum temperature pro 文件：80.28 Kbytes 页数：13 Pages	PHI PHI	PHI
BLW98	文件：16.149 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: The ASI BLW98is Designed for use in UHF amplifier applications up to 860 MHz. FEATURES: • PG= 16.5 dB Typical at 860 MHz • Common Emitter • Omnigold™ Metallization System 文件：16.149 Kbytes 页数：1 Pages	ASI	ASI
BLW98	文件：120.62 Kbytes Page：4 Pages	UHF linear power transistor 文件：120.62 Kbytes 页数：4 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
BLW98	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 27V 2A 4-Pin CRPM	NJS 新泽西半导体	NJS

晶体管资料

型号：
BLW98
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
超高频/特高频（UHF）_功率放大（L）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
50V
最大电流允许值：
2A
最大工作频率：
860MHZ
引脚数：
4
可代换的型号：
BLX98,2N4431,
最大耗散功率：
4.4W
放大倍数：
图片代号：
G-56
vtest：
50
htest：
860000000000
atest：
2
wtest：
4.4

技术参数

Output Power：
4.4(Typ)W
Number of Elements per Chip：
1
Minimum DC Current Gain：
15@850mA@25V
Maximum Transition Frequency：
2500(Typ)MHz
Maximum Operating Temperature：
200°C
Maximum Emitter Base Voltage：
3.5V
Maximum DC Collector Current：
2A
Maximum Collector Emitter Voltage：
27V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
0.25(Typ)@100mA@500mAV
Material：
Si
Configuration：
Single Dual Emitter

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