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BLW96	文件：89.59 Kbytes Page：14 Pages	HF/VHF power transistor DESCRIPTION N-P-N silicon planar epitaxial transistor intended for use in class-A, AB and B operated high power industrial and military transmitting equipment in the h.f. and v.h.f. band. The transistor presents excellent performance as a linear amplifier in s.s.b. applications. It is resistanc 文件：89.59 Kbytes 页数：14 Pages	PHI PHI	PHI
BLW96	文件：19.91 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: The ASI BLW96 is Designed for High Linearity Class A, AB HF Power Amplifier Applications up to 30 MHz. FEATURES: • PG = 14 dB Typical at 200 W/28 MHz • IMD3 = -32 dBc Typ. at 220 W(PEP) • Omnigold™ Metalization System 文件：19.91 Kbytes 页数：1 Pages	ASI	ASI
BLW96	文件：127.89 Kbytes Page：4 Pages	HF/VHF power transistor DESCRIPTION N-P-N silicon planar epitaxial transistor intended for use in class-A, AB and B operated high power industrial and military transmitting equipment in the h.f. and v.h.f. band. The transistor presents excellent performance as a linear amplifier in s.s.b. applications. It is resistance 文件：127.89 Kbytes 页数：4 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
BLW96	文件：53.1 Kbytes Page：1 Pages	HF/VHF power transistor Description: N-P-N silicon planar epitaxial transistor intended for use in class-A, AB and B operated high power industrial and military transmitting equipment in the HF and VHF band. The transistor presents excellent performance as a linear amplifier in s.s.b. applications. It is resistance stab 文件：53.1 Kbytes 页数：1 Pages	ELEFLOW	ELEFLOW
BLW96	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 55V 12A 4-Pin CRFM Bulk	NJS	NJS
BLW96/01,112	文件：300 bytes Page：1 Pages	BPS9G2933X-450/SOT502/TRAY	Ampleon 安谱隆	Ampleon
BLW96/01,112	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SOT-121B；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 55V 235MHZ CRFM4	Ampleon USA Inc.	Ampleon USA Inc.

晶体管资料

型号：
BLW96
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
调幅（AM）_调频（FM）_功率放大（L）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
110V
最大电流允许值：
12A
最大工作频率：
108MHZ
引脚数：
4
可代换的型号：
最大耗散功率：
200W
放大倍数：
图片代号：
G-266
vtest：
110
htest：
108000000000
atest：
12
wtest：
200

技术参数

Output Power：
200W
Number of Elements per Chip：
1
Minimum Operating Temperature：
-65°C
Minimum DC Current Gain：
15@7A@5V
Maximum Transition Frequency：
245(Typ)MHz
Maximum Operating Temperature：
200°C
Maximum Emitter Base Voltage：
4V
Maximum DC Collector Current：
12A
Maximum Collector Emitter Voltage：
55V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
1.9(Typ)@4A@20AV
Material：
Si
Configuration：
Single Dual Emitter

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