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BLW96分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

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厂商型号

BLW96

参数属性

BLW96 封装/外壳为SOT-121B;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 55V 235MHZ CRFM4

功能描述

HF/VHF power transistor

封装外壳

SOT-121B

文件大小

89.59 Kbytes

页面数量

14

生产厂商

PHI

中文名称

飞利浦

数据手册

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更新时间

2025-11-17 22:54:00

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BLW96规格书详情

DESCRIPTION

N-P-N silicon planar epitaxial transistor intended for use in class-A, AB and B operated high power industrial and military transmitting equipment in the h.f. and v.h.f. band. The transistor presents excellent performance as a linear amplifier in s.s.b. applications. It is resistance

stabilized and is guaranteed to withstand severe load mismatch conditions. Transistors are supplied in matched hFE groups.

The transistor has a 1⁄2 flange envelope with a ceramic cap. All leads are isolated from the flange.

产品属性

  • 产品编号:

    BLW96/01,112

  • 制造商:

    Ampleon USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    55V

  • 频率 - 跃迁:

    235MHz

  • 功率 - 最大值:

    340W

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    15 @ 7A,5V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    12A

  • 工作温度:

    200°C(TJ)

  • 安装类型:

    底座安装

  • 封装/外壳:

    SOT-121B

  • 供应商器件封装:

    CRFM4

  • 描述:

    RF TRANS NPN 55V 235MHZ CRFM4

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