BLW86中文资料飞利浦数据手册PDF规格书
BLW86规格书详情
DESCRIPTION
N-P-N silicon planar epitaxial transistor intended for use in class-A, AB and B operated h.f. and v.h.f. transmitters with a nominal supply voltage of 28 V. The transistor is resistance stabilized and is guaranteed to withstand severe load mismatch conditions. Matched hFE groups are available on request.
It has a 3/8 flange envelope with a ceramic cap. All leads are isolated from the flange.
产品属性
- 型号：
BLW86
- 功能描述：
射频双极电源晶体管 RF Transistor
- RoHS：
否
- 制造商：
M/A-COM Technology Solutions
- 配置：
Single 直流集电极/Base Gain hfe
- Min：
40
- 最大工作频率：
30 MHz 集电极—发射极最大电压
- VCEO：
25 V 发射极 - 基极电压
- VEBO：
4 V
- 集电极连续电流：
20 A
- 功率耗散：
250 W
- 封装/箱体：
Case 211-11
- 封装：
Tray
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
PHILIP |
18+ |
SOT123 |
85600 |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
询价 | ||
PHI |
2447 |
高频管 |
100500 |
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询价 | ||
PHI |
23+ |
高频管 |
7300 |
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询价 | ||
PHI |
25+ |
TO-59 |
1200 |
全新原装现货,价格优势 |
询价 | ||
PHI |
2025+ |
高频管 |
675 |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
询价 | ||
PHI |
25+23+ |
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PH |
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PHI |
23+ |
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PHI |
23+ |
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PHI |
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