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BLW90	文件：58.72 Kbytes Page：11 Pages	UHF power transistor DESCRIPTION N-P-N silicon planar epitaxial transistor suitable for transmitting applications in class-A, B or C in the u.h.f. and v.h.f. range for a nominal supply voltage of 28 V. The transistor is resistance stabilized and is guaranteed to withstand infinite VSWR at rated output power. High rel 文件：58.72 Kbytes 页数：11 Pages	PHI PHI	PHI
BLW90	文件：111.67 Kbytes Page：4 Pages	UHF power transistor DESCRIPTION N-P-N silicon planar epitaxial transistor suitable for transmitting applications in class-A, B or C in the u.h.f. and v.h.f. range for a nominal supply voltage of 28 V. The transistor is resistance stabilized and is guaranteed to withstand infinite VSWR at rated output power. High rel 文件：111.67 Kbytes 页数：4 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
BLW90	文件：45.33 Kbytes Page：1 Pages	UHF power transistor Description: N-P-N silicon planar epitaxial transistor suitable for transmitting applications in class-A, B or C in the UHF and VHF range for a nominal supply voltage of 28 V. The transistor is resistance stabilized and is guaranteed to withstand infinite VSWR at rated output power. Features: 文件：45.33 Kbytes 页数：1 Pages	ELEFLOW	ELEFLOW
BLW90	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 30V 0.62A 4-Pin CRPM	NJS	NJS

晶体管资料

型号：
BLW90
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
超高频/特高频（UHF）_功率放大（L）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
0.62A
最大工作频率：
470MHZ
引脚数：
4
可代换的型号：
BLW93,BLY37,
最大耗散功率：
4W
放大倍数：
图片代号：
G-56
vtest：
60
htest：
470000000000
atest：
0.62
wtest：
4

技术参数

Output Power：
4W
Number of Elements per Chip：
1
Minimum DC Current Gain：
10@0.3A@5V
Maximum Transition Frequency：
1200(Typ)MHz
Maximum Operating Temperature：
200°C
Maximum Emitter Base Voltage：
4V
Maximum DC Collector Current：
0.62A
Maximum Collector Emitter Voltage：
30V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
0.9(Typ)@0.2A@1AV
Material：
Si
Configuration：
Single Dual Emitter

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