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BLW83	文件：79.42 Kbytes Page：11 Pages	HF/VHF power transistor DESCRIPTION N-P-N silicon planar epitaxial transistor for use in transmitting amplifiers operating in the h.f. and v.h.f. bands, with a nominal supply voltage of 28 V. The transistor is specified for s.s.b. applications as linear amplifier in class-A and AB. The device is resistance stabilized an 文件：79.42 Kbytes 页数：11 Pages	PHI PHI	PHI
BLW83	文件：18.68 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: The ASI BLW83 is Designed for use in transmitting amplifiers operatimg in theh.f. and v.h.f. bands and for applications as linear amplifier in class-A and AB. FEATURES: • PG = 20 dB min. at 10 W/30 MHz • IMD3 = -30 dBc max. at 10 W(PEP) • Omnigold™ Metalization System 文件：18.68 Kbytes 页数：1 Pages	ASI	ASI
BLW83	文件：81.91 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: BLW83 is Designed for use in transmitting amplifiers operatimg in theh.f. and v.h.f. bands and for applications as linear amplifier in class-A and AB. FEATURES: • PG = 20 dB min. at 10W/30 MHz • IMD3 = -30 dBc max. at 10 W(PEP) • OmnigoW* Metalization System 文件：81.91 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
BLW83	文件：59.77 Kbytes Page：2 Pages	HF/VHF power transistor 文件：59.77 Kbytes 页数：2 Pages	ELEFLOW	ELEFLOW
BLW83	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 36V 3A 4-Pin SOT-123A	NJS 新泽西半导体	NJS

晶体管资料

型号：
BLW83
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
调幅（AM）_SSB_功率放大（L）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
65V
最大电流允许值：
3A
最大工作频率：
28MHZ
引脚数：
4
可代换的型号：
2N5941,
最大耗散功率：
30W
放大倍数：
图片代号：
G-266
vtest：
65
htest：
28000000000
atest：
3
wtest：
30

技术参数

Material：
Si
Maximum Collector Emitter Voltage：
36V
Maximum DC Collector Current：
3A
Type：
NPN

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