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BLV920	文件：109.98 Kbytes Page：12 Pages	UHF power transistor DESCRIPTION NPN silicon planar epitaxial transistor intended for common emitter class-AB operation. The transistor is encapsulated in a 6-lead SOT171A flange envelope with a ceramic cap. All leads are isolated from the flange. FEATURES • Internal input matching to achieve high power gain and ea 文件：109.98 Kbytes 页数：12 Pages	PHI PHI	PHI
BLV920	文件：300 bytes Page：1 Pages	UHF power transistor	恩XP	恩XP
BTNKSC920	文件：484.09 Kbytes Page：4 Pages	SMD Sealed Tact Switch for Adjustable Height 文件：484.09 Kbytes 页数：4 Pages	CK-COMPONENTS 力特	CK-COMPONENTS
BU920	文件：272.06 Kbytes Page：5 Pages	HIGH VOLTAGE POWER DISSIPATION HIGH VOLTAGE POWER DISSIPATION 文件：272.06 Kbytes 页数：5 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
BU920	文件：73.19 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 文件：73.19 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

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更多BLV920供应商更新时间2026-4-17 16:03:00