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BLV99SL	文件：70.55 Kbytes Page：10 Pages	UHF power transistor DESCRIPTION NPNsiliconplanarepitaxialtransistorencapsulatedina4-leadSOT172Denvelopewithaceramiccap.Itisdesignedprimarilyforuseasadriverstageinbasestationsinthe900MHzcommunicationsband.Allleadsareisolatedfromthemountingbase. FEATURES •Emitter-ballasting	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
BLV99SL	文件：133.72 Kbytes Page：2 Pages	UHF power transistor DESCRIPTION NPNsiliconplanarepitaxialtransistorencapsulatedina4-leadSOT172Denvelopewithaceramiccap.Itisdesignedprimarilyforuseasadriverstageinbasestationsinthe900MHzcommunicationsband.Allleadsareisolatedfromthemountingbase. FEATURES •Emitter-ballasting	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI

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BLV99SL

文件：70.55 Kbytes

Page：10 Pages

UHF power transistor

DESCRIPTION NPNsiliconplanarepitaxialtransistorencapsulatedina4-leadSOT172Denvelopewithaceramiccap.Itisdesignedprimarilyforuseasadriverstageinbasestationsinthe900MHzcommunicationsband.Allleadsareisolatedfromthemountingbase. FEATURES •Emitter-ballasting

PHIPhilips Semiconductors

飞利浦荷兰皇家飞利浦

PHI

BLV99SL

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UHF power transistor

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NJSEMI

详细参数

型号：
BLV99SL
功能描述：
射频双极电源晶体管 RF Bipolar Trans
RoHS：
否
制造商：
M/A-COM Technology Solutions
配置：
Single 直流集电极/Base Gain hfe
Min：
40
最大工作频率：
30 MHz 集电极—发射极最大电压
VCEO：
25 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
4 V
集电极连续电流：
20 A
功率耗散：
250 W
封装/箱体：
Case 211-11
封装：
Tray

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市豪迈兴电子有限公司	BLV99SL	PHI	24+	DIP-14	21322	公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存!	询价
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更多BLV99SL供应商更新时间2025-7-29 16:30:00

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