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BLW77 | HF/VHF power transistor DESCRIPTION N-P-N silicon planar epitaxial transistor intended for use in class-AB or class-B operated high power transmitters in the h.f. and v.h.f. bands. The transistor presents excellent performance as a linear amplifier in the h.f. band. It is resistance stabilized and is guaranteed to withs 文件：117.4 Kbytes 页数：17 Pages | PHI PHI | PHI | |
BLW77 | NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: The ASI BLW77 is Designed for use in class-AB or class-B operated high power transmitters in the H.F. and V.H.F bands and, as a Linear amplifier in the H.F. band. FEATURES: • PG = 12 dB min. at 15-30 W/1.6-28 MHz • Common Emitter • Omnigold™ Metalization System 文件：43.12 Kbytes 页数：1 Pages | ASI | ASI | |
BLW77 | HF/VHF power transistor Description: N-P-N silicon planar epitaxial transistor intended for use in class-AB or class-B operated high power transmitters in the HF and VHF bands. The transistor presents excellent performance as a linear amplifier in the HF band. It is resistance stabilized and is guaranteed to withstand s 文件：61 Kbytes 页数：2 Pages | ELEFLOW | ELEFLOW | |
BLW77 | HF/VHF power transistor | 恩XP | 恩XP |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性质：
调幅 （AM）_调频 （FM）_功率放大 （L）
- 封装形式：
贴片封装
- 极限工作电压：
70V
- 最大电流允许值：
12A
- 最大工作频率：
87.5MHZ
- 引脚数：
4
- 可代换的型号：
BLW96,
- 最大耗散功率：
130W
- 放大倍数：
- 图片代号：
G-266
- vtest：
70
- htest：
87500000000
- atest：
12
- wtest：
130
详细参数
- 型号：
BLW77
- 功能描述：
射频双极电源晶体管 RF Transistor
- RoHS：
否
- 制造商：
M/A-COM Technology Solutions
- 配置：
Single 直流集电极/Base Gain hfe
- Min：
40
- 最大工作频率：
30 MHz 集电极—发射极最大电压
- VCEO：
25 V 发射极 - 基极电压
- VEBO：
4 V
- 集电极连续电流：
20 A
- 功率耗散：
250 W
- 封装/箱体：
Case 211-11
- 封装：
Tray
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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PHI |
24+ |
TO-59 |
13 |
询价 | |||
PHI |
23+ |
TO-59 |
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T0-59R |
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询价 | ||
PHI |
24+ |
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现货供应 |
询价 | |||
PHI |
23+ |
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询价 | ||
PHI |
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PHI |
24+ |
TO59 |
3000 |
全新原装现货 优势库存 |
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PHI |
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20000 |
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高频管 |
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