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BLW97 | HF power transistor DESCRIPTION N-P-N silicon planar epitaxial transistor designed for use in class-A, AB and B operated high-power industrial and military transmitting equipment in the h.f. band. The transistor offers excellent performance as a linear amplifier in s.s.b. applications. It is resistance stabilized a 文件：73.8 Kbytes 页数：11 Pages | PHI PHI | PHI | |
BLW97 | NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: The ASI BLW97 is Designed for High voltage applications up tp 30 MHz FEATURES: • PG = 11.5 dB min. at 175 W/30 MHz • IMD3 = -30 dBc max. at 175 W(PEP) • Omnigold™ Metalization System 文件：20.16 Kbytes 页数：1 Pages | ASI | ASI | |
BLW97 | HF power transistor | 恩XP | 恩XP |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性质：
调幅 （AM）_SSB_功率放大 （L）
- 封装形式：
贴片封装
- 极限工作电压：
65V
- 最大电流允许值：
15A
- 最大工作频率：
28MHZ
- 引脚数：
4
- 可代换的型号：
- 最大耗散功率：
175W
- 放大倍数：
- 图片代号：
G-266
- vtest：
65
- htest：
28000000000
- atest：
15
- wtest：
175
详细参数
- 型号：
BLW97
- 功能描述：
TRANSISTOR RF SOT-121
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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