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BLV97	文件：65.96 Kbytes Page：11 Pages	UHF power transistor DESCRIPTION NPN silicon planar epitaxial transistor in a SOT171 envelope, intended for common emitter, class-AB operation in radio transmitters for the 960 MHz communications band. The transistor has a 6-lead flange envelope, with a ceramic cap. All leads are isolated from the flange. FEATURES 文件：65.96 Kbytes 页数：11 Pages	PHI PHI	PHI
BLV97CE	文件：65.96 Kbytes Page：11 Pages	UHF power transistor DESCRIPTION NPN silicon planar epitaxial transistor in a SOT171 envelope, intended for common emitter, class-AB operation in radio transmitters for the 960 MHz communications band. The transistor has a 6-lead flange envelope, with a ceramic cap. All leads are isolated from the flange. FEATURES 文件：65.96 Kbytes 页数：11 Pages	PHI PHI	PHI
BLV97CE	文件：151.86 Kbytes Page：4 Pages	UHF power transistor DESCRIPTION NPN silicon planar epitaxial transistor in a SOT171 envelope, intended for common emitter, class-AB operation in radio transmitters for the 960 MHz communications band. The transistor has a 6-lead flange envelope, with a ceramic cap. All leads are isolated from the flange. FEATURES 文件：151.86 Kbytes 页数：4 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
BLV97CE	文件：300 bytes Page：1 Pages	UHF power transistor	恩XP	恩XP
BLV97CE	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 27V 3A 6-Pin CDFM	NJS	NJS

晶体管资料

型号：
BLV97
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
超高频/特高频（UHF）_功率放大（L）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
50V
最大电流允许值：
3A
最大工作频率：
900MHZ
引脚数：
6
可代换的型号：
最大耗散功率：
30W
放大倍数：
图片代号：
G-244
vtest：
50
htest：
900000000
atest：
3
wtest：
30

技术参数

Output Power：
35W
Number of Elements per Chip：
1
Minimum Operating Temperature：
-65°C
Minimum DC Current Gain：
15@2A@20V
Maximum Operating Temperature：
200°C
Maximum Emitter Base Voltage：
3.5V
Maximum DC Collector Current：
3A
Maximum Collector Emitter Voltage：
27V
Maximum Collector Base Voltage：
50V
Material：
Si
Configuration：
Single Quad Emitter

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