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BLW85	文件：109 Kbytes Page：15 Pages	HF/VHF power transistor DESCRIPTION N-P-N silicon planar epitaxial transistor intended for use in class-A, B and C operated mobile h.f. and v.h.f. transmitters with a nominal supply voltage of 12,5 V. The transistor is resistance stabilized andis guaranteed to withstand severe load mismatch conditions with a supply ov 文件：109 Kbytes 页数：15 Pages	PHI PHI	PHI
BLW85	文件：38.87 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: The ASI BLW85is Designed for Class C Amplifier Applications in VHF Mobile Radios. FEATURES: • PG= 9.5 dB Typ. at 40 W /175 MHz • ηC= 60 Typ. at 40 W /175 MHz • Omnigold™ Metalization System 文件：38.87 Kbytes 页数：1 Pages	ASI	ASI
BLW85	文件：121.71 Kbytes Page：4 Pages	HF/VHF power transistor DESCRIPTION N-P-N silicon planar epitaxial transistor intended for use in class-A, B and C operated mobile h.f. and v.h.f. transmitters with a nominal supply voltage of 12,5 V. The transistor is resistance stabilized andis guaranteed to withstand severe load mismatch conditions with a supply over 文件：121.71 Kbytes 页数：4 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
BLW85	文件：59.44 Kbytes Page：2 Pages	HF/VHF power transistor Description: N-P-N silicon planar epitaxial transistor intended for use in class-A, B and C operated mobile HF and VHF transmitters with a nominal supply voltage of 12.5 V. The transistor is resistance stabilized and is guaranteed to withstand severe load mismatch conditions with a supply over-vo 文件：59.44 Kbytes 页数：2 Pages	ELEFLOW	ELEFLOW
BLW85	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 16V 9A 4-Pin SOT-123A	NJS 新泽西半导体	NJS

晶体管资料

型号：
BLW85
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
调幅（AM）_甚高频（VHF）_功率放大（L）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
36V
最大电流允许值：
9A
最大工作频率：
175MHZ
引脚数：
4
可代换的型号：
最大耗散功率：
45W
放大倍数：
图片代号：
G-266
vtest：
36
htest：
175000000000
atest：
9
wtest：
45

技术参数

Output Power：
45W
Number of Elements per Chip：
1
Minimum DC Current Gain：
10@4A@5V
Maximum Transition Frequency：
650(Typ)MHz
Maximum Operating Temperature：
200°C
Maximum Emitter Base Voltage：
4V
Maximum DC Collector Current：
9A
Maximum Collector Emitter Voltage：
16V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
1.5(Typ)@2.5A@12.5AV
Material：
Si
Configuration：
Single Dual Emitter

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