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BLV31	文件：14.86 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: The ASI BLV31 is Designed for use in VHF amplifiers FEATURES: • PG = 16.5 dB Typical at 224 MHz • Omnigold™ Metallization System 文件：14.86 Kbytes 页数：1 Pages	ASI	ASI
BLV31	文件：51.62 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: The ASI BLV31 is Designed for use in VHF amplifiers FEATURES: • PG = 16.5 dB Typical at 224 MHz • Omnigold™ Metallization System 文件：51.62 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
BLV31	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 33V 12.5A 4-Pin SOT-147	NJS	NJS
BLW50F	文件：0 bytes Page：0 Pages	高频管	PHILIOS/HG 上传：深圳瞄钧科技有限公司	PHILIOS/HG

技术参数

Output Power：
26.5(Typ)W
Number of Elements per Chip：
1
Minimum Operating Temperature：
-65°C
Minimum DC Current Gain：
100(Max)
Maximum Transition Frequency：
750(Typ)MHz
Maximum Operating Temperature：
200°C
Maximum Emitter Base Voltage：
4V
Maximum DC Collector Current：
12.5A
Maximum Collector Emitter Voltage：
33V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
15@3A@25AV
Maximum Base Emitter Saturation Voltage：
0.75(Typ)@0.6A@6AV
Material：
Si
Configuration：
Single Dual Emitter

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市旺财半导体有限公司	BLV31	PHI	23+		1688	房间现货库存:QQ:373621633	询价
深圳市一线半导体有限公司	BLV31	PH	24+		580		询价
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深圳诚思涵科技有限公司	BLV32	恩XP	18+	SMD	85600	保证进口原装可开17%增值税发票	询价

更多BLV31供应商更新时间2025-12-12 10:31:00

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