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BB301	文件：46.16 Kbytes Page：10 Pages	BuildinBiasingCircuitMOSFETICUHFRFAmplifier Features •BuildinBiasingCircuit; Toreduceusingpartscost&PCboardspace. •Lownoisecharacteristics;(NF=1.3dBtyp.atf=200MHz) •WithstandingtoESD;BuildinESDabsorbingdiode. Withstandupto200VatC=200pF, Rs=0conditions.	HitachiHitachi, Ltd. 日立公司	Hitachi
BB301	文件：46.12 Kbytes Page：10 Pages	BuildinBiasingCircuitMOSFETICUHFRFAmplifier Features •BuildinBiasingCircuit;Toreduceusingpartscost&PCboardspace. •Lownoisecharacteristics;(NF=1.3dBtyp.atf=200MHz) •WithstandingtoESD;BuildinESDabsorbingdiode.Withstandupto200VatC=200pF,Rs=0conditions.	HitachiHitachi, Ltd. 日立公司	Hitachi
BB-301	文件：394.45 Kbytes Page：1 Pages	BaseboardforoneTMCM-301/TMCM-341andupto3TMCM-035	TRINAMICTRINAMIC Motion Control GmbH & Co. KG. TRINAMIC Motion Control GmbH & Co. KG.	TRINAMIC
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BB301C	文件：271.19 Kbytes Page：8 Pages	BuiltinBiasingCircuitMOSFETICVHFRFAmplifier Features •BuiltinBiasingCircuit; Toreduceusingpartscost&PCboardspace. •Lownoisecharacteristics; (NF=1.3dBtyp.atf=200MHz) •WithstandingtoESD; BuiltinESDabsorbingdiode. Withstandupto200VatC=200pF,Rs=0conditions. •Provideminimoldpackag	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
BB301CAW-TL-E	文件：271.19 Kbytes Page：8 Pages	BuiltinBiasingCircuitMOSFETICVHFRFAmplifier Features •BuiltinBiasingCircuit; Toreduceusingpartscost&PCboardspace. •Lownoisecharacteristics; (NF=1.3dBtyp.atf=200MHz) •WithstandingtoESD; BuiltinESDabsorbingdiode. Withstandupto200VatC=200pF,Rs=0conditions. •Provideminimoldpackag	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
BB301M	文件：181.81 Kbytes Page：8 Pages	BuiltinBiasingCircuitMOSFETICVHFRFAmplifier Features •BuiltinBiasingCircuit;Toreduceusingpartscost&PCboardspace. •Lownoisecharacteristics;(NF=1.3dBtyp.atf=200MHz) •WithstandingtoESD;BuiltinESDabsorbingdiode.Withstandupto200VatC=200pF,Rs=0conditions. •Provideminimoldpackages;MPAK-4(SOT-1	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
BB301M	文件：46.12 Kbytes Page：10 Pages	BuildinBiasingCircuitMOSFETICUHFRFAmplifier Features •BuildinBiasingCircuit;Toreduceusingpartscost&PCboardspace. •Lownoisecharacteristics;(NF=1.3dBtyp.atf=200MHz) •WithstandingtoESD;BuildinESDabsorbingdiode.Withstandupto200VatC=200pF,Rs=0conditions.	HitachiHitachi, Ltd. 日立公司	Hitachi
BB301MAW-TL-E	文件：181.81 Kbytes Page：8 Pages	BuiltinBiasingCircuitMOSFETICVHFRFAmplifier Features •BuiltinBiasingCircuit;Toreduceusingpartscost&PCboardspace. •Lownoisecharacteristics;(NF=1.3dBtyp.atf=200MHz) •WithstandingtoESD;BuiltinESDabsorbingdiode.Withstandupto200VatC=200pF,Rs=0conditions. •Provideminimoldpackages;MPAK-4(SOT-1	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
BB-301S	文件：563.36 Kbytes Page：1 Pages	BaseboardforoneTMCM-301andupto3TMCM-035with24VI/Os	TRINAMICTRINAMIC Motion Control GmbH & Co. KG. TRINAMIC Motion Control GmbH & Co. KG.	TRINAMIC
BC301	文件：133.43 Kbytes Page：3 Pages	NPNEPITAXIALPLANARSILICONTRANSISTORS NPNEPITAXIALPLANARSILICONTRANSISTORS NPNSILICONLOW-AND-MEDIUMPOWERTRANSISTORS.	CDIL CDIL	CDIL
BC301	文件：56.45 Kbytes Page：1 Pages	SmallSignalTransistors	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
BC301	文件：122.24 Kbytes Page：2 Pages	PNPSILICONAFMEDIUMPOWERAMPLIFIERS&SWITCHES NPNSILICONAFMEDIUMPOWERAMPLIFIERS&SWITCHES	MICRO-ELECTRONICS Micro Electronics	MICRO-ELECTRONICS
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BC301	文件：45.83 Kbytes Page：2 Pages	BA/BCSeries:1.5-6.0WattsSingleandDualOutputs FEATURES •InputπFilter •FullyRegulatedOutputs •IndustryStandardPinouts •5,12,24,28,and48VDCInputs •RippleandNoiseLessThan50mVpp •Input/OutputIsolation	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
BC301N-D	文件：190.91 Kbytes Page：3 Pages	GasDischargeTube	Bencent 槟城电子	Bencent
BD301	文件：247.51 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BD301N	文件：205.09 Kbytes Page：2 Pages	30AMPBLOCKDIODES	SHUNYEShunye Enterprise 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SHUNYE
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产品属性

产品编号：
AOD301N-S
制造商：
IDEC
类别：
开关 > 按钮开关
包装：
散装
描述：
PUSHBUTTON 30MM

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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