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AOD4180	文件：268.92 Kbytes Page：7 Pages	80V N-Channel MOSFET GeneralDescription TheAOD4180isfabricatedwithSDMOS™trenchtechnologythatcombinesexcellentRDS(ON)withlowgatechargeandlowQrr.Theresultisoutstandingefficiencywithcontrolledswitchingbehavior.ThisuniversaltechnologyiswellsuitedforPWM,loadswitchingandgeneralpurp	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOD4180	文件：1.94622 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 80 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AOD4180	文件：309.98 Kbytes Page：2 Pages	Marking：DPAK；Package：TO-252；isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
ARK-4180	文件：475.98 Kbytes Page：2 Pages	ExpandablePCI-104PerformanceSolutionwith-40~75째COperatingTemperature	ADVANTECHAdvantech Co., Ltd. 研华科技研华科技（中国）有限公司	ADVANTECH
B4180	文件：96.61 Kbytes Page：6 Pages	SAWComponentsLow-LossFilterforMobileCommunication836,50MHz Low-LossFilterforMobileCommunication Features ●Low-lossRFfilterformobiletelephoneAMPSsystems,transmitpath ●Usablepassband25MHz ●Nomatchingnetworkrequiredforoperationat50Ω ●CeramicpackageforSurfaceMountedTechnology(SMT)Terminals ●Ni,gold-plated T	EPCOSepcos 爱普科斯	EPCOS
CSS-4180E	文件：193.19 Kbytes Page：6 Pages	0.40InchSingleDigitDisplay	CHINASEMI China Semiconductor Corporation	CHINASEMI
CSS-4180G	文件：193.5 Kbytes Page：6 Pages	0.40InchSingleDigitDisplay	CHINASEMI China Semiconductor Corporation	CHINASEMI
CSS-4180S	文件：191.45 Kbytes Page：6 Pages	0.40InchSingleDigitDisplay	CHINASEMI China Semiconductor Corporation	CHINASEMI
EDAC4180	文件：165.66 Kbytes Page：1 Pages	EDAC4xx0-Series ProductDescription GroundingRailforE-SeriesCabinets.Solidcopperrod(5x20mm)availableforhorizontaland15U,18U,22U,27U,32U,37U,42U,45U,47Uverticalmounting.	BELDENBelden Inc. 百通电缆设计科技有限公司	BELDEN
INA4180	文件：1.31495 Mbytes Page：38 Pages	Low-andHigh-SideVoltageOutput,Current-SenseAmplifiers	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1

详细参数

型号：
AOD4180
功能描述：
MOSFET N-CH 80V 54A DPAK
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
SDMOS™
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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