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AOD403	文件：153.83 Kbytes Page：4 Pages	Marking：D403；Package：TO252；P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription TheAOD403usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandlowgateresistance.WiththeexcellentthermalresistanceoftheDPAKpackage,thisdeviceiswellsuitedforhighcurrentloadapplications.StandardProductAOD403isPb-free(meets	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOD403	文件：1.02306 Mbytes Page：8 Pages	P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AOD403	文件：515.22 Kbytes Page：7 Pages	Marking：D403；Package：TO-252；-30V P-Channel MOSFET Features VDS(V)=-30V RDS(ON)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
AOD403	文件：418.01 Kbytes Page：7 Pages	Marking：D403；Package：TO-252；-30V P-Channel MOSFET GeneralDescription TheAOD403usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellent RDS(ON),lowgatechargeandlowgateresistance.Withtheexcellent thermalresistanceoftheTO-252package,thisdeviceiswellsuited forhighcurrentloadapplications. Features VDS(V)=-30V RDS(ON)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI
AOD403	文件：377.99 Kbytes Page：2 Pages	Marking：DPAK；Package：TO-252；Isc P-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOD403	文件：414.58 Kbytes Page：6 Pages	Marking：D403；Package：TO252；30V P-Channel MOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOD403	文件：2.67933 Mbytes Page：6 Pages	Marking：D403；Package：TO252；30V P-Channel MOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOD403L	文件：153.83 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription TheAOD403usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandlowgateresistance.WiththeexcellentthermalresistanceoftheDPAKpackage,thisdeviceiswellsuitedforhighcurrentloadapplications.StandardProductAOD403isPb-free(meets	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOD403_11	文件：414.58 Kbytes Page：6 Pages	30V P-Channel MOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOD403_13	文件：2.67933 Mbytes Page：6 Pages	30V P-Channel MOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD

详细参数

型号：
AOD403
功能描述：
MOSFET P-CH -30V -85A TO-252
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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