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AOD403	文件：153.83 Kbytes Page：4 Pages	丝印：D403；Package：TO252；P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AOD403 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and low gate resistance. With the excellent thermal resistance of the DPAK package, this device is well suited for high current load applications. Standard Product AOD403 is Pb-free (meets 文件：153.83 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOD403	文件：515.22 Kbytes Page：7 Pages	丝印：D403；Package：TO-252；-30V P-Channel MOSFET Features VDS (V) = -30V RDS(ON) 文件：515.22 Kbytes 页数：7 Pages	UMW 友台半导体	UMW
AOD403	文件：418.01 Kbytes Page：7 Pages	丝印：D403；Package：TO-252；-30V P-Channel MOSFET General Description The AOD403 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and low gate resistance. With the excellent thermal resistance of the TO-252 package, this device is well suited for high current load applications. Features VDS (V) = -30V RDS(ON) 文件：418.01 Kbytes 页数：7 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI
AOD403	文件：414.58 Kbytes Page：6 Pages	丝印：D403；Package：TO252；30V P-Channel MOSFET 文件：414.58 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOD403	文件：2.67933 Mbytes Page：6 Pages	丝印：D403；Package：TO252；30V P-Channel MOSFET 文件：2.67933 Mbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD

详细参数

型号：
D403
功能描述：
MOSFET P-CH -30V -85A TO-252
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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