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BB301C	文件：46.16 Kbytes Page：10 Pages	Build in Biasing Circuit MOS FET IC UHF RF Amplifier Features •BuildinBiasingCircuit; Toreduceusingpartscost&PCboardspace. •Lownoisecharacteristics;(NF=1.3dBtyp.atf=200MHz) •WithstandingtoESD;BuildinESDabsorbingdiode. Withstandupto200VatC=200pF, Rs=0conditions.	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
BB301C	文件：271.19 Kbytes Page：8 Pages	Built in Biasing Circuit MOS FET IC VHF RF Amplifier Features •BuiltinBiasingCircuit; Toreduceusingpartscost&PCboardspace. •Lownoisecharacteristics; (NF=1.3dBtyp.atf=200MHz) •WithstandingtoESD; BuiltinESDabsorbingdiode. Withstandupto200VatC=200pF,Rs=0conditions. •Provideminimoldpackag	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
BB301CAW-TL-E	文件：271.19 Kbytes Page：8 Pages	Built in Biasing Circuit MOS FET IC VHF RF Amplifier Features •BuiltinBiasingCircuit; Toreduceusingpartscost&PCboardspace. •Lownoisecharacteristics; (NF=1.3dBtyp.atf=200MHz) •WithstandingtoESD; BuiltinESDabsorbingdiode. Withstandupto200VatC=200pF,Rs=0conditions. •Provideminimoldpackag	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
BB301M	文件：181.81 Kbytes Page：8 Pages	BuiltinBiasingCircuitMOSFETICVHFRFAmplifier Features •BuiltinBiasingCircuit;Toreduceusingpartscost&PCboardspace. •Lownoisecharacteristics;(NF=1.3dBtyp.atf=200MHz) •WithstandingtoESD;BuiltinESDabsorbingdiode.Withstandupto200VatC=200pF,Rs=0conditions. •Provideminimoldpackages;MPAK-4(SOT-1	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
BB301M	文件：46.12 Kbytes Page：10 Pages	BuildinBiasingCircuitMOSFETICUHFRFAmplifier Features •BuildinBiasingCircuit;Toreduceusingpartscost&PCboardspace. •Lownoisecharacteristics;(NF=1.3dBtyp.atf=200MHz) •WithstandingtoESD;BuildinESDabsorbingdiode.Withstandupto200VatC=200pF,Rs=0conditions.	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
BB301MAW-TL-E	文件：181.81 Kbytes Page：8 Pages	BuiltinBiasingCircuitMOSFETICVHFRFAmplifier Features •BuiltinBiasingCircuit;Toreduceusingpartscost&PCboardspace. •Lownoisecharacteristics;(NF=1.3dBtyp.atf=200MHz) •WithstandingtoESD;BuiltinESDabsorbingdiode.Withstandupto200VatC=200pF,Rs=0conditions. •Provideminimoldpackages;MPAK-4(SOT-1	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
BB-301S	文件：563.36 Kbytes Page：1 Pages	BaseboardforoneTMCM-301andupto3TMCM-035with24VI/Os	TRINAMIC TRINAMIC Motion Control GmbH & Co. KG.	TRINAMIC
BC301	文件：122.24 Kbytes Page：2 Pages	PNPSILICONAFMEDIUMPOWERAMPLIFIERS&SWITCHES NPNSILICONAFMEDIUMPOWERAMPLIFIERS&SWITCHES	MICRO-ELECTRONICS Micro Electronics	MICRO-ELECTRONICS
BC301	文件：56.45 Kbytes Page：1 Pages	SmallSignalTransistors	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
BC301	文件：15.35 Kbytes Page：1 Pages	BipolarNPNDeviceinaHermeticallysealedTO39	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB

详细参数

型号：
BB301C
制造商：
HITACHI
制造商全称：
Hitachi Semiconductor
功能描述：
Build in Biasing Circuit MOS FET IC UHF RF Amplifier

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BB301C供应商更新时间2025-7-21 16:30:00

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