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AOD407	文件：507.24 Kbytes Page：7 Pages	丝印：AOD407；Package：TO-252；P-Channel -60 V (D-S) MOSFET Features VDS (V) = -60V ID = -12A (VGS = -10V) RDS(ON) 文件：507.24 Kbytes 页数：7 Pages	UMW 友台半导体	UMW
AOD407	文件：401.99 Kbytes Page：7 Pages	丝印：AOD407；Package：TO-252；P-Channel -60 V (D-S) MOSFET General Description The AOD407 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge and low gate resistance. With the excellent thermal resistance of the TO-252 package, this device is well suited for high current load applications. Features VDS (V) = -60V ID = 文件：401.99 Kbytes 页数：7 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI
AOD407	文件：988.3 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 100 UIS Tested APPLICATIONS • Load Switch 文件：988.3 Kbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
AOD407	文件：131.8 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AOD407 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and low gate resistance. With the excellent thermal resistance of the DPAK package, this device is well suited for high current load applications. Standard Product AOD407 is Pb-free (meets 文件：131.8 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOD407	文件：362.56 Kbytes Page：6 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AOD407 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and low gate resistance. With the excellent thermal resistance of the DPAK package, this device is well suited for high current load applications. -RoHS Compliant -Halogen Free* 文件：362.56 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOD407	文件：309.96 Kbytes Page：2 Pages	丝印：DPAK；Package：TO-252；isc P-Channel MOSFET Transistor 文件：309.96 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
AOD407	文件：2.45119 Mbytes Page：6 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：2.45119 Mbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOD407	文件：159.88 Kbytes Page：6 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：159.88 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOD407	文件：300 bytes Page：1 Pages	P沟道MOSFET (8V - 60V) P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor	AOS 美国万代	AOS
AOD407_V01	文件：362.56 Kbytes Page：6 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AOD407 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and low gate resistance. With the excellent thermal resistance of the DPAK package, this device is well suited for high current load applications. -RoHS Compliant -Halogen Free* 文件：362.56 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD

技术参数

Package：
TO252
Configuration：
Single
Polarity：
P
VDS (V)：
-60
VGS (±V)：
20
10V：
115
4.5V：
150
ID @ 25°C (A)：
-12
PD @ 25°C (W)：
50
Qg (4.5V)(nC)：
7.40
Qg (10V)(nC)：
15.80
VGS(th) max (V)：
-3
Ciss (pF)：
987
Coss (pF)：
114
Crss (pF)：
46
Qgd (nC)：
3.50
tD(on) (ns)：
9
tD(off) (ns)：
25
Trr (ns)：
27.50
Qrr (nC)：
30
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
175

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