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厂商型号

AOD407

功能描述

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件大小

362.56 Kbytes

页面数量

6

生产厂商

AOSMD

中文名称

万国半导体

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数据手册

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更新时间

2025-11-3 15:31:00

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AOD407规格书详情

General Description

The AOD407 uses advanced trench technology to

provide excellent RDS(ON), low gate charge and low

gate resistance. With the excellent thermal

resistance of the DPAK package, this device is well

suited for high current load applications.

-RoHS Compliant

-Halogen Free*

特性 Features

VDS (V) = -60V

ID = -12A (VGS = -10V)

RDS(ON) < 115mW (VGS = -10V)

RDS(ON) < 150mW (VGS = -4.5V)

100% UIS tested

100% RG tested

产品属性

  • 型号:

    AOD407

  • 功能描述:

    MOSFET P-CH -60V -12A TO-252

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列:

    -

  • 标准包装:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装:

    TO-220FP

  • 包装:

    管件

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
AOS/万代
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