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AOD4136	文件：156.5 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel SDMOSTM POWER Transistor GeneralDescription TheAOD4136isfabricatedwithSDMOSTMtrenchtechnologythatcombinesexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.Theresultisoutstandingefficiencywithcontrolledswitchingbehavior.ThisuniversaltechnologyiswellsuitedforbothDC-DCandloadswitchapplications. -RoHS	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOD4136	文件：309.56 Kbytes Page：2 Pages	Marking：DPAK；Package：TO-252；isc N-Channel MOSFET Transistor DESCRIPTION •Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneral purposeapplications. FEATURES •DrainCurrent–ID=25A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=25V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=11mΩ(Max) •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lot	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOI4136	文件：959.9 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AOI4136	文件：331.26 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=53A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=70mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BL-R4136	文件：505.17 Kbytes Page：2 Pages	STANDARDLEDLAMPS(RECTANGULARTYPES)	YSTONEYellow Stone Corp 早安股份早安股份有限公司	YSTONE
BL-R4136A	文件：505.17 Kbytes Page：2 Pages	STANDARDLEDLAMPS(RECTANGULARTYPES)	YSTONEYellow Stone Corp 早安股份早安股份有限公司	YSTONE
BL-S4136	文件：400.53 Kbytes Page：5 Pages	STANDARDLEDLAMPS(CYLINDRICALTYPES)	YSTONEYellow Stone Corp 早安股份早安股份有限公司	YSTONE
BL-S4136	文件：659.3 Kbytes Page：2 Pages	STANDARDLEDLAMPS	YSTONEYellow Stone Corp 早安股份早安股份有限公司	YSTONE
BL-S4136	文件：239.93 Kbytes Page：5 Pages	LEDLAMPSSPECIFICATION	BRIGHTBRIGHT LED ELECTRONICS CORP 步来特电器宁波步来特电器有限公司	BRIGHT
EVAL-ADuM4136EBZ	文件：849.78 Kbytes Page：17 Pages	4Apeakdriveoutputcapability	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD

详细参数

型号：
AOD4136
功能描述：
MOSFET N-CH 25V 25A TO252
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
SDMOS™
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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更多AOD4136供应商更新时间2025-4-30 20:00:00

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