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AOD4128	文件：118.82 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription TheAOD4128usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandlowgateresistance.ThisdeviceisideallysuitedforuseasalowsideswitchinCPUcorepowerconversion.ThedevicecanalsobeusedinPWM,loadswitchingandgeneralpurposeap	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOD4128	文件：309.68 Kbytes Page：2 Pages	Marking：DPAK；Package：TO-252；isc N-Channel MOSFET Transistor DESCRIPTION •Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneral purposeapplications. FEATURES •DrainCurrent–ID=60A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=25V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=4.0mΩ(Max) •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lot	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOD4128	文件：149.85 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOD4128_08	文件：149.85 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOI4128	文件：995.05 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AOI4128	文件：331.13 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=100A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=35mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
ASSR-4128	文件：160 Kbytes Page：11 Pages	FormA,SolidStateRelay(PhotoMOSFET)	BOARDCOMBroadcom Corporation. 博通公司博通半导体	BOARDCOM
ASSR-4128	文件：160 Kbytes Page：11 Pages	FormA,SolidStateRelay(PhotoMOSFET)(400V/0.10A/35)	AVAGOAVAGO TECHNOLOGIES LIMITED 安华高	AVAGO
AT4128	文件：2.83263 Mbytes Page：20 Pages	StandardSizePushbuttons GeneralSpecifications ElectricalCapacity(ResistiveLoad) PowerLevel(silver):3A@125VACor3A@250VACor3A@30VDC LogicLevel(gold):0.4VAmaximum@28VAC/DCmaximum (ApplicableRange0.1mA~0.1A@20mV~28V) Note:FindadditionalexplanationofoperatingrangeinSupplements	NKKNihon Kaiheiki Industry Co. Ltd. 恩楷楷恩楷楷(上海)开关有限公司	NKK
BH4128	文件：106.42 Kbytes Page：8 Pages	SecondMixerIFfordigitalcellularphones TheBH4128FVisanICequippedwithinternalsecondmixerandIFamplifiercircuits,developedforusewithdigitalcellularphones. Features 1)Equippedwithinternalmixer,IF,andRSSIcircuits. 2)Canbeoperatedatmixerinputfrequenciesrangingfrom10MHzto200MHz. 3)IFamplifiergain	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM

详细参数

型号：
AOD4128
功能描述：
MOSFET N-CH 25V 60A TO252
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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