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AOD4158P	文件：319 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 46A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 30V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) =9mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC c 文件：319 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
AOD4158P	文件：87.1 Kbytes Page：1 Pages	TO252(DPAK) PACKAGE MARKING DESCRIPTION 文件：87.1 Kbytes 页数：1 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOD4158P	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET：N-Channel AOS pioneered the fab-lite model in the Trench Power MOSFET field, developing leading-edge products that are exclusively manufactured in state-of-the-art 8-inch fabs. Advanced proprietary silicon and packaging processes are designed in AOS’s U.S. headquarters and are then produced with its very effi	AOS 美国万代	AOS
BC4158B	文件：354 Kbytes Page：8 Pages	PNP Silicon AF Transistors High current gain Low collector-emitter saturation voltage Low noise between 30 Hz and 15 kHz Complementary types: BC 413, BC 414 (NPN) 文件：354 Kbytes 页数：8 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
HA4158-ELB	文件：204.24 Kbytes Page：2 Pages	Dual Inductors for Class D 文件：204.24 Kbytes 页数：2 Pages	COILCRAFT	COILCRAFT
HA4158-ELD	文件：204.24 Kbytes Page：2 Pages	Dual Inductors for Class D 文件：204.24 Kbytes 页数：2 Pages	COILCRAFT	COILCRAFT

技术参数

Status：
Obsolete
Recommended Replacement：
AOD536
Package：
TO252
Configuration：
Single - N
Vds/V：
30
Vgs/V：
20
Id(A)(25℃)：
46
Id(A)(75℃)：
34
Pd(W)(25℃)：
32
Pd(W)(75℃)：
15
Rds (on) mΩ max(10V)：
9
Rds (on) mΩ max(4.5V)：
13.5
Qg (nC)：
8.8

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更多AOD4158P供应商更新时间2025-12-9 10:03:00

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