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AOD4130	文件：310.2 Kbytes Page：6 Pages	60V N-Channel MOSFET General Description The AOD4130/AOI4130 combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide extremely low RDS(ON). This device is ideal for boost converters and synchronous rectifiers for consumer, telecom, industrial power supplies and LED backlighting. Pro 文件：310.2 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOD4130	文件：268.5 Kbytes Page：2 Pages	丝印：DPAK；Package：TO-252；Isc N-Channel MOSFET Transistor • FEATURES • With To-252(DPAK) package • Low input capacitance and gate charge • Low gate input resistance • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation • APPLICATIONS • Switching applications • Load switch • Power manageme 文件：268.5 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
AOD4130	文件：897.82 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel 6 0-V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 175 °C Junction Temperature 文件：897.82 Kbytes 页数：6 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
AOD4130	文件：455.57 Kbytes Page：7 Pages	60V N-Channel MOSFET General Features VDS 60V ID (at VGS=10V) 30A RDS(ON) (at VGS=10V) 文件：455.57 Kbytes 页数：7 Pages	UMW 友台半导体	UMW
AOD4130	文件：845.73 Kbytes Page：7 Pages	60V N-Channel MOSFET General Description The AOD4130 combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide extremely low RDS(ON). This device is ideal for boost converters and synchronous rectifiers for consumer, telecom, industrial power supplies and LED backlighting. General Fe 文件：845.73 Kbytes 页数：7 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI
AOD4130	文件：300 bytes Page：1 Pages	中压MOSFET (40V - 400V) 60V N-Channel MOSFET	AOS 美国万代	AOS
AOD4130	文件：300 bytes Page：1 Pages	60V N-ch Fast Switching MOSFET	MTW 美台微	MTW
AOD4130	文件：300 bytes Page：1 Pages	场效应管	HXY MOSFET 华轩阳电子	HXY MOSFET

技术参数

Package：
TO252
Configuration：
Single
Polarity：
N
VDS (V)：
60
VGS (±V)：
20
10V：
24
4.5V：
30
ID @ 25°C (A)：
30
PD @ 25°C (W)：
52
Qg (10V)(nC)：
28.30
Qg (4.5V)(nC)：
13.40
VGS(th) max (V)：
2.80
Ciss (pF)：
1582
Coss (pF)：
100
Crss (pF)：
67
Qgd (nC)：
7.20
tD(on) (ns)：
7.50
tD(off) (ns)：
33
Trr (ns)：
22
Qrr (nC)：
76
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
175

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