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厂商型号

AOD4130

功能描述

60V N-Channel MOSFET

文件大小

310.2 Kbytes

页面数量

6

生产厂商

AOSMD

中文名称

万国半导体

网址

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数据手册

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更新时间

2025-11-8 22:59:00

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AOD4130规格书详情

General Description

The AOD4130/AOI4130 combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide extremely low RDS(ON). This device is ideal for boost converters and synchronous rectifiers for consumer, telecom, industrial power supplies and LED backlighting.

Product Summary

VDS 60V

ID (at VGS=10V) 30A

RDS(ON) (at VGS=10V) < 24mΩ

RDS(ON) (at VGS=4.5V) < 30mΩ

100 UIS Tested

100 Rg Tested

产品属性

  • 型号:

    AOD4130

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 60V 30A DPAK

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列:

    -

  • 标准包装:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装:

    TO-220FP

  • 包装:

    管件

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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