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AOD4120
厂商型号

AOD4120

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件大小

127.97 Kbytes

页面数量

5

生产厂商 Alpha & Omega Semiconductors
企业简称

AOSMD万国半导体

中文名称

美国万国半导体官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-6 13:36:00

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AOD4120规格书详情

General Description

The AOD4120 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This device is suitable for use in PWM, load switching and general purpose applications. Standard product AOD4120 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AOD4120L is a Green Product ordering option. AOD4120 and AOD4120L are electrically identical.

特性 Features

VDS (V) = 20V

ID = 25A (VGS = 10V)

RDS(ON) <18 mΩ (VGS = 10V)

RDS(ON) <25 mΩ (VGS = 4.5V)

RDS(ON) <75 mΩ (VGS = 2.5V)

UIS Tested

Rg,Ciss,Coss,Crss Tested

产品属性

  • 型号:

    AOD4120

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 20V 25A TO252

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列:

    -

  • 标准包装:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装:

    TO-220FP

  • 包装:

    管件

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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