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6R099P	文件：551.62 Kbytes Page：10 Pages	型号：IPI60R099CP；Package：PG-TO262；High peak current capability Features •WorldwidebestRds,oninTO220 •Ultralowgatecharge •Extremedv/dtrated •Highpeakcurrentcapability •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •Pb-freeleadplating;RoHScompliant	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司
6R099P6	文件：2.27598 Mbytes Page：18 Pages	型号：IPA60R099P6；Package：PG-TO220FullPAK；600V CoolMOS??P6 Power Transistor Description CoolMOS™isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand pioneeredbyInfineonTechnologies.CoolMOS™P6seriescombinesthe experienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwithhighclassinnovation. Theoffereddevicesprovideallbenefitsofafastsw	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司
6R099P6	文件：2.27598 Mbytes Page：18 Pages	型号：IPP60R099P6；Package：PG-TO220；600V CoolMOS??P6 Power Transistor Description CoolMOS™isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand pioneeredbyInfineonTechnologies.CoolMOS™P6seriescombinesthe experienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwithhighclassinnovation. Theoffereddevicesprovideallbenefitsofafastsw	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司
6R099P6	文件：2.27598 Mbytes Page：18 Pages	型号：IPW60R099P6；Package：PG-TO247；600V CoolMOS??P6 Power Transistor Description CoolMOS™isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand pioneeredbyInfineonTechnologies.CoolMOS™P6seriescombinesthe experienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwithhighclassinnovation. Theoffereddevicesprovideallbenefitsofafastsw	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司

详细参数

型号：
6R099P
功能描述：
MOSFET COOL MOS N-CH 600V 0.099Ohms
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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