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IPI60R099CP	文件：551.62 Kbytes Page：10 Pages	丝印：6R099P；Package：PG-TO262；High peak current capability Features • Worldwide best R ds,on in TO220 • Ultra low gate charge • Extreme dv/dt rated • High peak current capability • Qualified according to JEDEC1) for target applications • Pb-free lead plating; RoHS compliant 文件：551.62 Kbytes 页数：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPA60R099P6	文件：2.27598 Mbytes Page：18 Pages	丝印：6R099P6；Package：PG-TO220FullPAK；600V CoolMOS??P6 Power Transistor Description CoolMOS™isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand pioneeredbyInfineonTechnologies.CoolMOS™P6seriescombinesthe experienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwithhighclassinnovation. Theoffereddevicesprovideallbenefitsofafastsw 文件：2.27598 Mbytes 页数：18 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPP60R099P6	文件：2.27598 Mbytes Page：18 Pages	丝印：6R099P6；Package：PG-TO220；600V CoolMOS??P6 Power Transistor Description CoolMOS™isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand pioneeredbyInfineonTechnologies.CoolMOS™P6seriescombinesthe experienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwithhighclassinnovation. Theoffereddevicesprovideallbenefitsofafastsw 文件：2.27598 Mbytes 页数：18 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPW60R099P6	文件：2.27598 Mbytes Page：18 Pages	丝印：6R099P6；Package：PG-TO247；600V CoolMOS??P6 Power Transistor Description CoolMOS™isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand pioneeredbyInfineonTechnologies.CoolMOS™P6seriescombinesthe experienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwithhighclassinnovation. Theoffereddevicesprovideallbenefitsofafastsw 文件：2.27598 Mbytes 页数：18 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
6R099P	文件：551.62 Kbytes Page：10 Pages	High peak current capability Features • Worldwide best R ds,on in TO220 • Ultra low gate charge • Extreme dv/dt rated • High peak current capability • Qualified according to JEDEC1) for target applications • Pb-free lead plating; RoHS compliant 文件：551.62 Kbytes 页数：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
6R099P6	文件：2.27598 Mbytes Page：18 Pages	600V CoolMOS??P6 Power Transistor Description CoolMOS™isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand pioneeredbyInfineonTechnologies.CoolMOS™P6seriescombinesthe experienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwithhighclassinnovation. Theoffereddevicesprovideallbenefitsofafastsw 文件：2.27598 Mbytes 页数：18 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

详细参数

型号：
6R099P
功能描述：
MOSFET COOL MOS N-CH 600V 0.099Ohms
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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