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6R125C6	文件：1.26355 Mbytes Page：18 Pages	型号：IPA60R125C6；Package：PG-TO220；MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor Features ExtremelylowlossesduetoverylowFOMRdsonQgandEoss Veryhighcomutationruggedness Easytoues/drive JEDECqualified,Pb-freeplating,Halogenfree	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司
6R125C6	文件：1.26355 Mbytes Page：18 Pages	型号：IPB60R125C6；Package：PG-TO263；MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor Features ExtremelylowlossesduetoverylowFOMRdsonQgandEoss Veryhighcomutationruggedness Easytoues/drive JEDECqualified,Pb-freeplating,Halogenfree	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司
6R125C6	文件：1.26355 Mbytes Page：18 Pages	型号：IPP60R125C6；Package：PG-TO220；MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor Features ExtremelylowlossesduetoverylowFOMRdsonQgandEoss Veryhighcomutationruggedness Easytoues/drive JEDECqualified,Pb-freeplating,Halogenfree	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司
6R125C6	文件：1.26355 Mbytes Page：18 Pages	型号：IPX60R125C6；Package：PG-TO247；MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor Features ExtremelylowlossesduetoverylowFOMRdsonQgandEoss Veryhighcomutationruggedness Easytoues/drive JEDECqualified,Pb-freeplating,Halogenfree	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司

详细参数

型号：
6R125C6
功能描述：
MOSFET 600V CoolMOS C6 Power Transistor
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多6R125C6供应商更新时间2025-8-1 8:36:00

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