IPI60R380C6芯片代码丝印对应型号-114ic电子网

首页 >丝印反查>6R380C6

型号	下载订购	功能描述	制造商上传企业	LOGO
IPA60R380C6	文件：1.4056 Mbytes Page：19 Pages	丝印：6R380C6；Package：PG-TO220；MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor Features * Extermely low losses due to very low FOM Rdson Qg and Eoss * Very high commutation ruggedness * Easy to use/drive,Pb-free plating, Halogen free * Fully qualified according to JEDEC for Industrial Applications 文件：1.4056 Mbytes 页数：19 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPB60R380C6	文件：1.4056 Mbytes Page：19 Pages	丝印：6R380C6；Package：PG-TO263；MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor Features * Extermely low losses due to very low FOM Rdson Qg and Eoss * Very high commutation ruggedness * Easy to use/drive,Pb-free plating, Halogen free * Fully qualified according to JEDEC for Industrial Applications 文件：1.4056 Mbytes 页数：19 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPI60R380C6	文件：1.4056 Mbytes Page：19 Pages	丝印：6R380C6；Package：PG-TO262；MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor Features * Extermely low losses due to very low FOM Rdson Qg and Eoss * Very high commutation ruggedness * Easy to use/drive,Pb-free plating, Halogen free * Fully qualified according to JEDEC for Industrial Applications 文件：1.4056 Mbytes 页数：19 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPP60R380C6	文件：1.4056 Mbytes Page：19 Pages	丝印：6R380C6；Package：PG-TO220；MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor Features * Extermely low losses due to very low FOM Rdson Qg and Eoss * Very high commutation ruggedness * Easy to use/drive,Pb-free plating, Halogen free * Fully qualified according to JEDEC for Industrial Applications 文件：1.4056 Mbytes 页数：19 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPX60R380C6	文件：1.4056 Mbytes Page：19 Pages	丝印：6R380C6；Package：PG-TO252；MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor Features * Extermely low losses due to very low FOM Rdson Qg and Eoss * Very high commutation ruggedness * Easy to use/drive,Pb-free plating, Halogen free * Fully qualified according to JEDEC for Industrial Applications 文件：1.4056 Mbytes 页数：19 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
6R380C6	文件：1.03225 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET 文件：1.03225 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

详细参数

型号：
6R380C6
功能描述：
MOSFET N-CH 600V 10.6A TO262
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
CoolMOS™
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市英科美电子有限公司	IPI60R380C6	INFINEON/英飞凌	24+	TO-262	17112	原装进口假一罚十	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	IPI60R380C6	Infineon(英飞凌)	24+	TO-262	8145	支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。	询价
深圳市恒创达实业有限公司	IPI60R380C6	INFINEON	17+	TO262	6200	100%原装正品现货	询价
深圳市海天鸿电子科技有限公司	IPI60R380C6	INFINEON	1728+	TO262	8500	只做原装进口,假一罚十	询价
深圳市华斯顿科技有限公司	IPI60R380C6	INFINEON	25+23+	TO-262	14809	绝对原装正品全新进口深圳现货	询价
瀚佳科技(深圳)有限公司	IPI60R380C6	inf进口原	24+	TO-220	30980	原装现货/放心购买	询价
艾睿（深圳）半导体有限公司	IPI60R380C6	Infineon(英飞凌)	2447	PG-TO262-3	115000	500个/管一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期	询价
深圳市金芯阳科技有限公司	IPI60R380C6	INFINEON	24+	TO262	5850	全新原装现货	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	IPI60R380C6	INFINEON/英飞凌	23+	TO-262	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	IPI60R380C6	infineon	23+	TO-262	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价

更多6R380C6供应商更新时间2025-9-21 14:04:00

客户服务网站合作

Tel：0755 8246 9263
Email：kf＠114ic.com
投诉建议：kf@114ic.com

Copyright © 2003-2025 114ic.com All Rights Reserved 粤ICP备05011613号粤公网安备 44030402000933号