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IPA60R380C6	文件：1.4056 Mbytes Page：19 Pages	丝印：6R380C6；Package：PG-TO220；MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor Features * Extermely low losses due to very low FOM Rdson Qg and Eoss * Very high commutation ruggedness * Easy to use/drive,Pb-free plating, Halogen free * Fully qualified according to JEDEC for Industrial Applications 文件：1.4056 Mbytes 页数：19 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IPB60R380C6	文件：1.4056 Mbytes Page：19 Pages	丝印：6R380C6；Package：PG-TO263；MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor Features * Extermely low losses due to very low FOM Rdson Qg and Eoss * Very high commutation ruggedness * Easy to use/drive,Pb-free plating, Halogen free * Fully qualified according to JEDEC for Industrial Applications 文件：1.4056 Mbytes 页数：19 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IPI60R380C6	文件：1.4056 Mbytes Page：19 Pages	丝印：6R380C6；Package：PG-TO262；MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor Features * Extermely low losses due to very low FOM Rdson Qg and Eoss * Very high commutation ruggedness * Easy to use/drive,Pb-free plating, Halogen free * Fully qualified according to JEDEC for Industrial Applications 文件：1.4056 Mbytes 页数：19 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IPP60R380C6	文件：1.4056 Mbytes Page：19 Pages	丝印：6R380C6；Package：PG-TO220；MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor Features * Extermely low losses due to very low FOM Rdson Qg and Eoss * Very high commutation ruggedness * Easy to use/drive,Pb-free plating, Halogen free * Fully qualified according to JEDEC for Industrial Applications 文件：1.4056 Mbytes 页数：19 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IPX60R380C6	文件：1.4056 Mbytes Page：19 Pages	丝印：6R380C6；Package：PG-TO252；MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor Features * Extermely low losses due to very low FOM Rdson Qg and Eoss * Very high commutation ruggedness * Easy to use/drive,Pb-free plating, Halogen free * Fully qualified according to JEDEC for Industrial Applications 文件：1.4056 Mbytes 页数：19 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
6R380C6	文件：1.03225 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET 文件：1.03225 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

详细参数

型号：
6R380C6
功能描述：
MOSFET COOL MOS
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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