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丝印:6R950C6;Package:PG-TO220;600V CoolMOS??C6 Power Transistor 文件:1.21195 Mbytes 页数:18 Pages | Infineon 英飞凌 | Infineon | ||
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6R950C6 | 丝印:D2PAK;Package:TO-263;N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET 文件:1.10712 Mbytes 页数:10 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | VBSEMI |
详细参数
- 型号:
6R950C6
- 功能描述:
MOSFET 600V CoolMOS C6 Power Transistor
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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