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IPA60R950C6

丝印:6R950C6;Package:PG-TO220;600V CoolMOS??C6 Power Transistor

文件:1.21195 Mbytes 页数:18 Pages

Infineon

英飞凌

IPB60R950C6

丝印:6R950C6;Package:PG-TO263;600V CoolMOS??C6 Power Transistor

文件:1.21195 Mbytes 页数:18 Pages

Infineon

英飞凌

IPD60R950C6

丝印:6R950C6;Package:PG-TO252;600V CoolMOS??C6 Power Transistor

文件:1.21195 Mbytes 页数:18 Pages

Infineon

英飞凌

IPP60R950C6

丝印:6R950C6;Package:PG-TO220;600V CoolMOS??C6 Power Transistor

文件:1.21195 Mbytes 页数:18 Pages

Infineon

英飞凌

6R950C6

丝印:D2PAK;Package:TO-263;N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET

文件:1.10712 Mbytes 页数:10 Pages

VBSEMI

微碧半导体

详细参数

  • 型号:

    6R950C6

  • 功能描述:

    MOSFET 600V CoolMOS C6 Power Transistor

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多6R950C6供应商 更新时间2025-9-14 14:14:00