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6R600P	文件：562.77 Kbytes Page：10 Pages	型号：IPA60R600CP；Package：PG-TO200FP；CoolMos Power Transistor Features •Lowestfigure-of-meritRonxQg •Ultralowgatecharge •Extremedv/dtrated •Highpeakcurrentcapability •QualifiedforindustrialgradeapplicationsaccordingtoJEDEC1) •Pb-freeleadplating;RoHScompliant;Halogenfreemoldcompound CoolMOSCPisdesignedfor: •Hards	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

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6R600P

文件：562.77 Kbytes

Page：10 Pages

型号：IPA60R600CP；Package：PG-TO200FP；CoolMos Power Transistor

Features •Lowestfigure-of-meritRonxQg •Ultralowgatecharge •Extremedv/dtrated •Highpeakcurrentcapability •QualifiedforindustrialgradeapplicationsaccordingtoJEDEC1) •Pb-freeleadplating;RoHScompliant;Halogenfreemoldcompound CoolMOSCPisdesignedfor: •Hards

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon

详细参数

型号：
6R600P
功能描述：
MOSFET N-CH 600V 6.1A TO220-3
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
CoolMOS™
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
京海半导体(深圳)有限公司	IPA60R600CP	INFINEON/英飞凌	21+	TO220-3	20000	原装现货假一罚十	询价
深圳市恒创达实业有限公司	IPA60R600CP	INF进口原	17+	TO-220F	6200		询价
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更多6R600P供应商更新时间2025-7-29 10:11:00

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