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IPD60R385CP

丝印:6R385P;Package:PG-TO252;600V CoolMOS™ CP Power Transistor

Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated High peak current capability Fully qualified according JEDEC for industrial applications Pb-free lead plating; RoHS compliant, available in Halogen free mold compound

文件:380.9 Kbytes 页数:11 Pages

Infineon

英飞凌

6R385P

丝印:D2PAK;Package:TO-263;N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

文件:1.03997 Mbytes 页数:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

详细参数

  • 型号:

    6R385P

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 600 V 9 A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多6R385P供应商 更新时间2025-9-14 13:01:00