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6R520E6	文件：1.05442 Mbytes Page：16 Pages	型号：IPA60R520E6；Package：PG-TO220FullPAK；Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor Description CoolMOSisarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principle andpioneeredbyInfineonTechnologies.CoolMOSE6series combinestheexperienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwith highclassinnovation.Theoffered	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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型号：IPA60R520E6；Package：PG-TO220FullPAK；Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

Description CoolMOSisarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principle andpioneeredbyInfineonTechnologies.CoolMOSE6series combinestheexperienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwith highclassinnovation.Theoffered

InfineonInfineon Technologies AG

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Infineon

6R520E6

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型号：IPP60R520E6；Package：PG-TO220；Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon

详细参数

型号：
6R520E6
功能描述：
MOSFET N-CH 650V 8.1A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多6R520E6供应商更新时间2025-7-31 16:12:00

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