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IPP60R520E6	文件：1.26744 Mbytes Page：16 Pages	600V CoolMOS E6 Power Transistor Description CoolMOS™isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies.CoolMOS™E6seriescombinestheexperienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwithhighclassinnovation.Theoffered	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IPP60R520E6	文件：337.94 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor •DESCRIPTION •ProvideallbenefitsofafastswitchingSJMOSFETwhilenot sacrificingeaseofuse •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.52Ω •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPP60R520E6	文件：1.05442 Mbytes Page：16 Pages	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor Description CoolMOSisarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principle andpioneeredbyInfineonTechnologies.CoolMOSE6series combinestheexperienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwith highclassinnovation.Theoffered	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IIPP60R520E6	文件：337.94 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRIPTION •ProvideallbenefitsofafastswitchingSJMOSFETwhilenot sacrificingeaseofuse •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.52Ω •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPA60R520E6	文件：1.05442 Mbytes Page：16 Pages	MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor Description CoolMOSisarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principle andpioneeredbyInfineonTechnologies.CoolMOSE6series combinestheexperienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwith highclassinnovation.Theoffered	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IPA60R520E6	文件：267.1 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor •FEATURES •WithTO-220Fpackage •Lowinputcapacitanceandgatecharge •Lowgateinputresistance •Reducedswitchingandconductionlosses •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation •APPLICATIONS •Switchingapplication	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPA60R520E6	文件：1.26744 Mbytes Page：16 Pages	600VCoolMOSE6PowerTransistor Description CoolMOS™isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies.CoolMOS™E6seriescombinestheexperienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwithhighclassinnovation.Theoffered	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IPX60R520E6	文件：1.05442 Mbytes Page：16 Pages	MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor Description CoolMOSisarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principle andpioneeredbyInfineonTechnologies.CoolMOSE6series combinestheexperienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwith highclassinnovation.Theoffered	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon

详细参数

型号：
IPP60R520E6
功能描述：
MOSFET N-CH 650V 8.1A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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