CoolMOS Power Transistor

CoolMOS® Power Transistor Features • Worldwide best Rds,on in TO252 • Ultra low gate charge • Extreme dv/dt rated • High peak current capability • Qualified for industrial grade applications according to JEDEC1) • Pb-free lead plating; RoHS compliant; available in Halogen free mold co

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Infineon

英飞凌

丝印：6R385P；Package：PG-TO252；600V CoolMOS™ CP Power Transistor

Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated High peak current capability Fully qualified according JEDEC for industrial applications Pb-free lead plating; RoHS compliant, available in Halogen free mold compound

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Infineon

英飞凌

N-Channel MOSFET Transistor

• DESCRITION • High peak current capability • FEATURES • Static drain-source on-resistance: RDS(on)≤0.385Ω • Enhancement mode: • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation

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ISC

无锡固电

600V CoolMOS??CP Power Transistor

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CoolMOS Power Transistor

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CoolMOS Power Transistor

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600V CoolMOS??CP Power Transistor

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500 V-950 V CoolMOS™ N 沟道功率 MOSFET

CoolMOS™ CP 是英飞凌第五个 CoolMOS™ 系列产品，专门设计用于 ATX、笔记本适配器 PDP 和 LCD 电视的软硬开关拓扑、CCM PFC 以及 PWM。\n   • 极低的 R on x Q g 品质因数\n• 极低的栅极电荷\n• 极端 dv/dt 额定值\n• 极低的 R DS(on)，超低的栅极电压，极快速开关\n• V th 为 3 V，g fs 极高，内部 R g 非常低\n• 高电流能力\n• 显著减少传导和开关损耗\n• 高功率密度和效率，实现更高功率转换系统\n• 出色性价/性能比\n\n优势:;

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