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IPA60R190P6	文件：3.10731 Mbytes Page：19 Pages	丝印：6R190P6；Package：PG-TO220FullPAK；Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor Description CoolMOS™isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand pioneeredbyInfineonTechnologies.CoolMOS™P6seriescombinesthe experienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwithhighclassinnovation. Theoffereddevicesprovideallbenefitsofafastsw 文件：3.10731 Mbytes 页数：19 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPB60R190P6	文件：3.10731 Mbytes Page：19 Pages	丝印：6R190P6；Package：PG-TO263；Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor Description CoolMOS™isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand pioneeredbyInfineonTechnologies.CoolMOS™P6seriescombinesthe experienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwithhighclassinnovation. Theoffereddevicesprovideallbenefitsofafastsw 文件：3.10731 Mbytes 页数：19 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPP60R190P6	文件：3.10731 Mbytes Page：19 Pages	丝印：6R190P6；Package：PG-TO220；Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor Description CoolMOS™isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand pioneeredbyInfineonTechnologies.CoolMOS™P6seriescombinesthe experienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwithhighclassinnovation. Theoffereddevicesprovideallbenefitsofafastsw 文件：3.10731 Mbytes 页数：19 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPW60R190P6	文件：3.10731 Mbytes Page：19 Pages	丝印：6R190P6；Package：PG-TO247；Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor Description CoolMOS™isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand pioneeredbyInfineonTechnologies.CoolMOS™P6seriescombinesthe experienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwithhighclassinnovation. Theoffereddevicesprovideallbenefitsofafastsw 文件：3.10731 Mbytes 页数：19 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
6R190P6	文件：3.10731 Mbytes Page：19 Pages	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor Description CoolMOS™isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand pioneeredbyInfineonTechnologies.CoolMOS™P6seriescombinesthe experienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwithhighclassinnovation. Theoffereddevicesprovideallbenefitsofafastsw 文件：3.10731 Mbytes 页数：19 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

详细参数

型号：
6R190P6
功能描述：
MOSFET 600V CoolMOS P6 MOSFET 190 Rds
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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