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6R280C6	文件：1.59291 Mbytes Page：19 Pages	型号：IPA60R280C6；Package：PG-TO220FullPAK；Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor Description CoolMOS™isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETS,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principle andpioneeredbyInfineonTechnologies.CoolMOS™C6series combinestheexperienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwith highclassinnovation.Theoffere	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
6R280C6	文件：1.59291 Mbytes Page：19 Pages	型号：IPB60R280C6；Package：PG-TO263；Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor Description CoolMOS™isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETS,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principle andpioneeredbyInfineonTechnologies.CoolMOS™C6series combinestheexperienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwith highclassinnovation.Theoffere	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
6R280C6	文件：1.59291 Mbytes Page：19 Pages	型号：IPP60R280C6；Package：PG-TO220；Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor Description CoolMOS™isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETS,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principle andpioneeredbyInfineonTechnologies.CoolMOS™C6series combinestheexperienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwith highclassinnovation.Theoffere	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
6R280C6	文件：1.59291 Mbytes Page：19 Pages	型号：IPW60R280C6；Package：PG-TO247；Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor Description CoolMOS™isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETS,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principle andpioneeredbyInfineonTechnologies.CoolMOS™C6series combinestheexperienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwith highclassinnovation.Theoffere	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

详细参数

型号：
6R280C6
功能描述：
MOSFET COOLM
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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