IPP60R190P6中文资料英飞凌数据手册PDF规格书

厂商型号	IPP60R190P6
功能描述	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
丝印标识	6R190P6
封装外壳	PG-TO220
文件大小	3.10731 Mbytes
页面数量	19 页
生产厂商	Infineon Technologies AG
企业简称	INFINEON【英飞凌】
中文名称	英飞凌科技股份公司官网
原厂标识
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
更新时间	2025-8-4 23:00:00
人工找货	IPP60R190P6价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货

描述 Description

CoolMOS™isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower

MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand

pioneeredbyInfineonTechnologies.CoolMOS™P6seriescombinesthe

experienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwithhighclassinnovation.

TheoffereddevicesprovideallbenefitsofafastswitchingSJMOSFET

whilenotsacrificingeaseofuse.Extremelylowswitchingandconduction

lossesmakeswitchingapplicationsevenmoreefficient,morecompact,

lighterandcooler.

特性 Features

•IncreasedMOSFETdv/dtruggedness

•ExtremelylowlossesduetoverylowFOMRdson*QgandEoss

•Veryhighcommutationruggedness

•Easytouse/drive

•Pb-freeplating,Halogenfreemoldcompound

•QualifiedforindustrialgradeapplicationsaccordingtoJEDEC(J-STD20

andJESD22)

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