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IPP60R190E6中文资料英飞凌数据手册PDF规格书

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厂商型号

IPP60R190E6

功能描述

600V CoolMOS™ E6 Power Transistor

丝印标识

6R190E6

封装外壳

PG-TO220

文件大小

958.98 Kbytes

页面数量

18

生产厂商

Infineon

中文名称

英飞凌

网址

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数据手册

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更新时间

2025-11-3 22:30:00

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产品属性

  • 型号:

    IPP60R190E6

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 650V 20.2A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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