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6R190E6

型号:IPA60R190E6;Package:PG-TO220;600V CoolMOS™ E6 Power Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon

6R190E6

型号:IPP60R190E6;Package:PG-TO220;600V CoolMOS™ E6 Power Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon

6R190E6

型号:IPW60R190E6;Package:PG-TO247;600V CoolMOS™ E6 Power Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon

详细参数

  • 型号:

    6R190E6

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 650V 20.2A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多6R190E6供应商 更新时间2025-8-4 10:13:00