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IPP60R190E6	文件：1.15584 Mbytes Page：17 Pages	600V CoolMOS E6 Power Transistor Description CoolMOS™isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies.CoolMOS™E6seriescombinestheexperienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwithhighclassinnovation.Theofferedde	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPP60R190E6	文件：338.26 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor •DESCRIPTION •ProvideallbenefitsofafastswitchingSJMOSFETwhilenot sacrificingeaseofuse •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.19Ω •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPP60R190E6	文件：958.98 Kbytes Page：18 Pages	Marking：6R190E6；Package：PG-TO220；600V CoolMOS™ E6 Power Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPP60R190E6	文件：958.99 Kbytes Page：18 Pages	600V CoolMOS™ E6 Power Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPP60R190E615	文件：958.99 Kbytes Page：18 Pages	600V CoolMOS™ E6 Power Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPW60R190E6	文件：958.98 Kbytes Page：18 Pages	600VCoolMOS™E6PowerTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPW60R190E6	文件：958.99 Kbytes Page：18 Pages	600VCoolMOS™E6PowerTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPW60R190E6	文件：335.48 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •Fastswitching •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤190mΩ •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPW60R190E6	文件：1.15584 Mbytes Page：17 Pages	600VCoolMOSE6PowerTransistor Description CoolMOS™isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies.CoolMOS™E6seriescombinestheexperienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwithhighclassinnovation.Theofferedde	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

详细参数

型号：
IPP60R190E6
功能描述：
MOSFET N-CH 650V 20.2A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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