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6R199P	文件：338.92 Kbytes Page：10 Pages	型号：IPP60R199CP；Package：PG-TO220；CoolMOS Power Transistor Features •Lowestfigure-of-meritRONxQg •Ultralowgatecharge •Extremedv/dtrated •Highpeakcurrentcapability •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •Pb-freeleadplating;RoHScompliant CoolMOSCPisspeciallydesignedfor: •Hardswitchingtopologies,forServe	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
6R199P	文件：405.57 Kbytes Page：10 Pages	型号：IPA60R199CP；Package：PG-TO220；CoolMOS짰 Power Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
6R199P	文件：385.13 Kbytes Page：10 Pages	型号：IPP60R199CP；Package：PG-TO220；CoolMOS짰 Power Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

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6R199P

文件：338.92 Kbytes

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型号：IPP60R199CP；Package：PG-TO220；CoolMOS Power Transistor

Features •Lowestfigure-of-meritRONxQg •Ultralowgatecharge •Extremedv/dtrated •Highpeakcurrentcapability •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •Pb-freeleadplating;RoHScompliant CoolMOSCPisspeciallydesignedfor: •Hardswitchingtopologies,forServe

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon

6R199P

文件：405.57 Kbytes

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型号：IPA60R199CP；Package：PG-TO220；CoolMOS짰 Power Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon

6R199P

文件：385.13 Kbytes

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型号：IPP60R199CP；Package：PG-TO220；CoolMOS짰 Power Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon

详细参数

型号：
6R199P
功能描述：
MOSFET COOL MOS N-CH 600V 16A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多6R199P供应商更新时间2025-7-30 15:28:00

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