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2SK3160-E

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features • Low on-resistance RDS =130 mΩ typ. • High speed switching • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source

文件:88.2 Kbytes 页数:8 Pages

RENESAS

瑞萨

2SK3160

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:324.73 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

2SK3160

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件:1.01255 Mbytes 页数:5 Pages

DOINGTER

杜因特

2SK3160

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features • Low on-resistance RDS =130 mΩ typ. • High speed switching • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source

文件:88.2 Kbytes 页数:8 Pages

RENESAS

瑞萨

详细参数

  • 型号:

    2SK3160-E

  • 制造商:

    Renesas Electronics Corporation

  • 功能描述:

    Nch MOSFET,200V,10A,0.13ohm,TO-220FM

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
TOSHIBA
24+
60000
询价
JINGDAO/晶导微
23+
SMA(DO-214AC)
69820
终端可以免费供样,支持BOM配单!
询价
日立
24+
6430
原装现货/欢迎来电咨询
询价
H
TO-252
22+
6000
十年配单,只做原装
询价
HITACHI/日立
23+
220
7900
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详
询价
HIT
23+
2800
正品原装货价格低
询价
H
25+
TO-252
12300
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
询价
NK/南科功率
2025+
TO-252
986966
国产
询价
HITACHI
02+
SOT263/2.5
2600
全新原装进口自己库存优势
询价
HITACHI
02+
SOT263/2.5
199
只做原装进口QQ2107571078微信17621580780于小姐
询价
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