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| 零件编号 | 下载 订购 | 功能描述/丝印 | 制造商 上传企业 | LOGO |
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SOT-323Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES Highbreakdownvoltage.(BVCEO=-120V) Complementsthe2SC4102 | DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司 | DGNJDZ | ||
PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor | BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司 | BILIN | ||
PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●Powerdissipation.(PC=200mW) ●ExcellentHFELinearity. APPLICATIONS ●Generalpurposeapplication. | BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司 | BILIN | ||
High-voltageAmplifierTransistor | ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团 | ROHM | ||
SOT-323Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●Highbreakdownvoltage.(BVCEO=-120V) ●Complementsthe2SC4102 | JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司 | JIANGSU | ||
PNP-50mA-120VHigh-VoltageAmplifierTransistors | ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团 | ROHM | ||
TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●Highbreakdownvoltage.(BVCEO=-120V) ●Complementsthe2SC4102 | HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司 | HTSEMI | ||
PNPSiliconPlasticEncapsulatedTransistor FEATURES •HighBreakdownVoltage.(BVCEO=-120V) •Complementaryofthe2SC4102 | SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司 | SECOS | ||
High-VoltageAmplifierTransistor ■Features ●Highbreakdownvoltage.(BVCEO=-120V) ●Complementsthe2SC4102. | KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司 | KEXIN | ||
High-voltageAmplifierTransistor(-120V,-50mA) Features 1)Highbreakdownvoltage.(BVCEO=−120V) 2)Complementsthe2SC4102/2SC3906K/2SC2389S. | ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团 | ROHM |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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