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2N5551B

GENERAL PURPOSE TRANSISTORS

文件:707.49 Kbytes 页数:6 Pages

AITSEMI

创瑞科技

2N5551BU

NPN General-Purpose Amplifier

Description This device is designed for general-purpose high-voltage amplifiers and gas discharge display drivers.

文件:216.64 Kbytes 页数:9 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

2N5551BU

丝印:5551;Package:TO-923L;NPN General-Purpose Amplifier

Description This device is designed for general-purpose high-voltage amplifiers and gas discharge display drivers.

文件:323.78 Kbytes 页数:11 Pages

ONSEMI

安森美半导体

2N5551BU

NPN General-Purpose Amplifier

文件:216.64 Kbytes 页数:9 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

2N5551BU

Package:TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA);包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 160V 0.6A TO92-3

ONSEMI

安森美半导体

详细参数

  • 型号:

    2N5551B

  • 功能描述:

    两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT:

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    PowerFLAT 2 x 2

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多2N5551B供应商 更新时间2026-3-17 10:19:00