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2N5401RLRMG	文件：83.66 Kbytes Page：6 Pages	AmplifierTransistorsPNPSilicon AmplifierTransistors PNPSilicon Features •Pb−FreePackagesareAvailable*	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N5401S	文件：147.26 Kbytes Page：2 Pages	EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR(GENERALPURPOSE,HIGHVOLTAGE) GENERALPURPOSEAPPLICATION. HIGHVOLTAGEAPPLICATION. FEATURES •HighCollectorBreakdwonVoltage:VCBO=-160V,VCEO=-150V •LowLeakageCurrent.:ICBO=-50nA(Max.)@VCB=-120V •LowSaturationVoltage:VCE(sat)=-0.5V(Max.)@IC=-50mA,IB=-5mA •LowNoise:NF=8dB(Max.)	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
2N5401S	文件：39.6 Kbytes Page：2 Pages	EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
2N5401S	文件：1.34387 Mbytes Page：4 Pages	PNPSwitchingTransistor Features -EpoxymeetsUL-94V-0flammabilityrating. -MoisturesensitivityLevel1.	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
2N5401S	文件：231.35 Kbytes Page：5 Pages	HighVoltageTransistor FEATURE ●WedeclarethatthematerialofproductcompliancewithRoHSrequirements.	FS First Silicon Co., Ltd	FS
2N5401SQ	文件：680.25 Kbytes Page：3 Pages	PNPTransistor	PJSEMIDongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, 平晶半导体东莞市平晶半导体科技有限公司	PJSEMI

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