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2N5401RLRMG

Amplifier Transistors PNP Silicon

Amplifier Transistors PNP Silicon Features • Pb−Free Packages are Available*

文件:83.66 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

2N5401RLRMG

Package:TO-226-3,TO-92-3 长基体(成形引线);包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP 150V 0.6A TO92

ONSEMI

安森美半导体

2N5401S

EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, HIGH VOLTAGE)

GENERAL PURPOSE APPLICATION. HIGH VOLTAGE APPLICATION. FEATURES • High Collector Breakdwon Voltage : VCBO=-160V, VCEO=-150V • Low Leakage Current. : ICBO=-50nA(Max.) @VCB=-120V • Low Saturation Voltage : VCE(sat)=-0.5V(Max.) @IC=-50mA, IB=-5mA • Low Noise : NF=8dB (Max.)

文件:147.26 Kbytes 页数:2 Pages

KECKEC(Korea Electronics)

开益禧无锡开益禧半导体有限公司

2N5401S

EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR

文件:39.6 Kbytes 页数:2 Pages

KECKEC(Korea Electronics)

开益禧无锡开益禧半导体有限公司

2N5401S

High Voltage Transistor

FEATURE ● We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.

文件:231.35 Kbytes 页数:5 Pages

FS

产品属性

  • 产品编号:

    2N5401RLRMG

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    管件

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    500mV @ 5mA,50mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    50nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    60 @ 10mA,5V

  • 频率 - 跃迁:

    300MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-226-3,TO-92-3 长基体(成形引线)

  • 供应商器件封装:

    TO-92(TO-226)

  • 描述:

    TRANS PNP 150V 0.6A TO92

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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TO-92(TO-226)
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更多2N5401RLRMG供应商 更新时间2026-1-29 14:20:00